Описание
Аналитическая платформа EVO
■ Стабильная в своем классе рентгеновская геометрия
■ Отличное в своем классе изображение во вторичных электронах при переменном давлении
■ Технология чистой и быстрой откачки
■ Столик с расширенным диапазоном перемещения и высокой повторяемостью
■ Модульная конструкция на основе разных типо-размеров камер
Изображения HD
■ Изображения высокого разрешения (HD) с источником, яркость которого, по сравнению с обычными РЭМ, выше в 50 раз
■ Великолепное разрешение при низких кВ для по- лучения улучшенного изображения поверхности
■ Улучшенная аналитика при высоких токах луча
Электронная микроскопия в естественной среде
■ Микроскопы EVO LS способны работать с влажными образцами при очень высоких давлениях вплоть до 3000 Па
■ Специальный набор детекторов для получения четких снимков в режимах переменного давления и естественной среды
■ Система BeamSleeve 1 мм для повышения точности анализа
■ Система EasyVP для быстрого переключения между работой в режимах HV и VP
■ Специализированное ПО для эффективной работы с РЭМ
Детали
| Разрешение | 10 нм @ 3 кВ SE, 15 нм @ 30 кВ 1 нА, LaB6, 20 нм (15 нм) @ 1 кВ SE и W (LaB6), 3 нм (2 нм) @ 30 кВ SE и W (LaB6), 4 нм @ 30 кВ VP режим |
|---|---|
| Уск. напряжение | 0.2 – 30 кВ |
| Ток зонда | 0.5 пА – 5 мкА |
